casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos, Pre-polar / EMD4T2R
Número de pieza del fabricante | EMD4T2R |
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Número de parte futuro | FT-EMD4T2R |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EMD4T2R Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms, 10 kOhms |
Resistor - Base del emisor (R2) | 47 kOhms |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 250µA, 5mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 500nA |
Frecuencia - Transición | 250MHz |
Potencia - max | 150mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOT-563, SOT-666 |
Paquete del dispositivo del proveedor | EMT6 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EMD4T2R Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | EMD4T2R-FT |
RN4987,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1901,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1903,LF(CT
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RN1910,LF(CT
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RN1905(T5L,F,T)
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RN1905,LF
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RN1906(T5L,F,T)
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RN1906,LF
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XCKU040-2FBVA900I
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EP3C25F256C7ES
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XC6VLX365T-3FFG1156C
Xilinx Inc.
10M04DCU324A7G
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