casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos, Pre-polar / EMA3T2R
Número de pieza del fabricante | EMA3T2R |
---|---|
Número de parte futuro | FT-EMA3T2R |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EMA3T2R Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Base del emisor (R2) | - |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 500nA (ICBO) |
Frecuencia - Transición | 250MHz |
Potencia - max | 150mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 6-SMD (5 Leads), Flat Lead |
Paquete del dispositivo del proveedor | EMT5 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EMA3T2R Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | EMA3T2R-FT |
RN4901,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4902,LF
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RN4903(T5L,F,T)
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