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Número de pieza del fabricante | ELL-CTV470M |
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Número de parte futuro | FT-ELL-CTV470M |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | V |
ELL-CTV470M Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Ferrite |
Inductancia | 47µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 1.9A |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Shielded |
Resistencia DC (DCR) | 69 mOhm |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | - |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 100kHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | Nonstandard |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Tamaño / Dimensión | 0.472" L x 0.472" W (12.00mm x 12.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.177" (4.50mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ELL-CTV470M Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | ELL-CTV470M-FT |
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XC2VP70-6FF1517I
Xilinx Inc.
A3PE600-1FG484I
Microsemi Corporation
LFE2-70E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
A10V20B-PLG68C
Microsemi Corporation
EP20K200CF484C7
Intel
EP4SE820H40I4
Intel
EP3SE80F1152I4L
Intel
XC4013XL-3BG256I
Xilinx Inc.
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
EPF6016QC208-3
Intel