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Número de pieza del fabricante | ELL-6GM2R2N |
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Número de parte futuro | FT-ELL-6GM2R2N |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | M |
ELL-6GM2R2N Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | - |
Inductancia | 2.2µH |
Tolerancia | ±30% |
Valoración actual | 1.8A |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Shielded |
Resistencia DC (DCR) | 35 mOhm |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | - |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 100kHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | Nonstandard |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Tamaño / Dimensión | 0.236" L x 0.236" W (6.00mm x 6.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.063" (1.60mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ELL-6GM2R2N Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | ELL-6GM2R2N-FT |
ELL-6SH150M
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XC6SLX16-L1CSG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX9-L1CSG324I
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
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LFE3-70E-8FN672C
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Intel
EP4SGX230DF29I4
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