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Número de pieza del fabricante | ELL-6SH100M |
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Número de parte futuro | FT-ELL-6SH100M |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | H |
ELL-6SH100M Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | - |
Inductancia | 10µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 1.3A |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Shielded |
Resistencia DC (DCR) | 65 mOhm |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | - |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 100kHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | Nonstandard |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Tamaño / Dimensión | 0.252" L x 0.236" W (6.40mm x 6.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.130" (3.30mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ELL-6SH100M Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | ELL-6SH100M-FT |
ELJ-FA470JFD
Panasonic Electronic Components
ELJ-FA470KF
Panasonic Electronic Components
ELJ-FA4R7JF
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ELJ-FA4R7KF
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A54SX16A-2TQG144
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA600-FGG484A
Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C3T100I7
Intel
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8
Intel
5SGXEA7H3F35C2N
Intel
5AGXMA5G4F31C4N
Intel