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Número de pieza del fabricante | ELL-CTV2R0N |
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Número de parte futuro | FT-ELL-CTV2R0N |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | V |
ELL-CTV2R0N Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Ferrite |
Inductancia | 2µH |
Tolerancia | ±30% |
Valoración actual | 6.3A |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Shielded |
Resistencia DC (DCR) | 5.6 mOhm |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | - |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 100kHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | Nonstandard |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Tamaño / Dimensión | 0.472" L x 0.472" W (12.00mm x 12.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.177" (4.50mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ELL-CTV2R0N Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | ELL-CTV2R0N-FT |
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XC2S100-6FGG256C
Xilinx Inc.
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Microsemi Corporation
EP4CE10E22I8LN
Intel
5SGXEABK2H40I2LN
Intel
5SGXMABK2H40I3LN
Intel
A42MX09-PL84I
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K3F35E2SG
Intel
EP3C80F780C7N
Intel