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Número de pieza del fabricante | ELL-4GM6R8N |
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Número de parte futuro | FT-ELL-4GM6R8N |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | M |
ELL-4GM6R8N Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | - |
Inductancia | 6.8µH |
Tolerancia | ±30% |
Valoración actual | 640mA |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Shielded |
Resistencia DC (DCR) | 180 mOhm |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | - |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 100kHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | Nonstandard |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Tamaño / Dimensión | 0.150" L x 0.150" W (3.80mm x 3.80mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.059" (1.50mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ELL-4GM6R8N Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | ELL-4GM6R8N-FT |
ELL-6RH180M
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EP1C6T144C7N
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XA6SLX75-3FGG484Q
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XC6SLX75-2FGG484I
Xilinx Inc.
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Microsemi Corporation
A54SX32A-PQ208M
Microsemi Corporation
5SGXMA7K2F40C1
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
10AX115N2F45E1SG
Intel
EP2AGX125EF35C6
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EP2AGZ350FF35I3N
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