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Número de pieza del fabricante | ELL-6UH681M |
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Número de parte futuro | FT-ELL-6UH681M |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | H |
ELL-6UH681M Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | - |
Inductancia | 680µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 240mA |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Shielded |
Resistencia DC (DCR) | 2.83 Ohm |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | - |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 100kHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | Nonstandard |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Tamaño / Dimensión | 0.252" L x 0.236" W (6.40mm x 6.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.197" (5.00mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ELL-6UH681M Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | ELL-6UH681M-FT |
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Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQ208
Microsemi Corporation
EP20K400EFC672-1
Intel
XC7K410T-L2FFG676I
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQ100
Microsemi Corporation
AT40K05AL-1AJC
Microchip Technology
EP1S40F780C8N
Intel
EPF10K100ABI356-3N
Intel