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Número de pieza del fabricante | ELL-CTV102M |
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Número de parte futuro | FT-ELL-CTV102M |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | V |
ELL-CTV102M Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Ferrite |
Inductancia | 1mH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 410mA |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Shielded |
Resistencia DC (DCR) | 1.5 Ohm |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | - |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 100kHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | Nonstandard |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Tamaño / Dimensión | 0.472" L x 0.472" W (12.00mm x 12.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.177" (4.50mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ELL-CTV102M Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | ELL-CTV102M-FT |
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Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C3T100I7
Intel
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8
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5SGXEA7H3F35C2N
Intel
5AGXMA5G4F31C4N
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