casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / EGL41DHE3_A/H
Número de pieza del fabricante | EGL41DHE3_A/H |
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Número de parte futuro | FT-EGL41DHE3_A/H |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, Superectifier® |
EGL41DHE3_A/H Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 200V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1V @ 1A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 50ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacitancia a Vr, F | 20pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-213AB, MELF (Glass) |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-213AB |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EGL41DHE3_A/H Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | EGL41DHE3_A/H-FT |
BYG24GHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG24GHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG24GHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG24JHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG24JHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG24JHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG24JHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
JAN1N6642UB
Microsemi Corporation
JAN1N6642UBD
Microsemi Corporation
JANTX1N3647
Microsemi Corporation
EPF8820ATC144-3
Intel
XC2V6000-4FFG1517I
Xilinx Inc.
AT40K20-2EQC
Microchip Technology
XC7A75T-L1CSG324I
Xilinx Inc.
M1A3P1000-1FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-5M132C
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LFE3-35EA-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N2F40E2LG
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EP3SL150F780I4
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EP1C4F324I7N
Intel