casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / JAN1N6642UB
Número de pieza del fabricante | JAN1N6642UB |
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Número de parte futuro | FT-JAN1N6642UB |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/578 |
JAN1N6642UB Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 75V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 300mA |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.2V @ 100mA |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 5ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 500nA @ 75V |
Capacitancia a Vr, F | 5pF @ 0V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 3-SMD, No Lead |
Paquete del dispositivo del proveedor | 3-UB (3.09x2.45) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6642UB Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | JAN1N6642UB-FT |
EGP31D-E3/C
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP31D-E3/D
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP31F-E3/C
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP31F-E3/D
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP31G-E3/C
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP31G-E3/D
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP51A-E3/C
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP51A-E3/D
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP51B-E3/C
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP51B-E3/D
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-2000ZE-2TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A75T-2FTG256I
Xilinx Inc.
M2GL025-1VFG400I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N3F45C4N
Intel
XC7A200T-L1FB484I
Xilinx Inc.
XCKU3P-1SFVB784I
Xilinx Inc.
A3P600-2FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG184I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I3
Intel
EP20K100EQC208-2XN
Intel