casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / EDFP112A3PF-JDTJ-F-R TR
Número de pieza del fabricante | EDFP112A3PF-JDTJ-F-R TR |
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Número de parte futuro | FT-EDFP112A3PF-JDTJ-F-R TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EDFP112A3PF-JDTJ-F-R TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR3 |
Tamaño de la memoria | 24Gb (192M x 128) |
Frecuencia de reloj | 933MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.14V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -30°C ~ 105°C (TC) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EDFP112A3PF-JDTJ-F-R TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | EDFP112A3PF-JDTJ-F-R TR-FT |
EDF8164A3MD-GD-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDF8164A3PD-GD-F-D
Micron Technology Inc.
EDF8164A3PF-GD-F-D
Micron Technology Inc.
EDF8164A3PF-GD-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDF8164A3PF-JD-F-D
Micron Technology Inc.
EDF8164A3PF-JD-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDF8164A3PK-GD-F-D
Micron Technology Inc.
EDF8164A3PK-GD-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDF8164A3PK-JD-F-D
Micron Technology Inc.
EDF8164A3PK-JD-F-R
Micron Technology Inc.
LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE115F23I8L
Intel
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
LFXP3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP20K100BC356-2N
Intel
EP4SGX360FF35C4
Intel