casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / EDF8164A3PK-GD-F-R TR
Número de pieza del fabricante | EDF8164A3PK-GD-F-R TR |
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Número de parte futuro | FT-EDF8164A3PK-GD-F-R TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EDF8164A3PK-GD-F-R TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR3 |
Tamaño de la memoria | 8Gb (128M x 64) |
Frecuencia de reloj | 800MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.14V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EDF8164A3PK-GD-F-R TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | EDF8164A3PK-GD-F-R TR-FT |
DS2433X#T
Maxim Integrated
DS2433X-300-EC
Maxim Integrated
DS2433X-300-EC#TW
Maxim Integrated
DS2433X-S/T&R
Maxim Integrated
DS2433X-Z01
Maxim Integrated
DS2501S-UNW-111B/T&R
Maxim Integrated
DS2502AX-500-00/T&R/
Maxim Integrated
DS28E05GB+U
Maxim Integrated
DS28E07+W
Maxim Integrated
DS28E15G+U
Maxim Integrated
M2GL025TS-1FGG484I
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A54SX16A-FFG256
Microsemi Corporation
MPF200T-FCG484E
Microsemi Corporation
5CGXFC5C6F27C7N
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5SGSED6N1F45C2LN
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5SGXEB9R3H43C2L
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A42MX24-1PQG160M
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10M16DCU324A7G
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5AGXMA1D6F31C6N
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EP20K100EBC356-3N
Intel