casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / EDFA164A2PM-JD-F-R TR
Número de pieza del fabricante | EDFA164A2PM-JD-F-R TR |
---|---|
Número de parte futuro | FT-EDFA164A2PM-JD-F-R TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EDFA164A2PM-JD-F-R TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR3 |
Tamaño de la memoria | 16Gb (256M x 64) |
Frecuencia de reloj | 933MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.14V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EDFA164A2PM-JD-F-R TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | EDFA164A2PM-JD-F-R TR-FT |
ECF440AACCN-P2-Y3
Micron Technology Inc.
ECF440AACCN-P4-Y3
Micron Technology Inc.
ECF440AACCN-V6-Y3
Micron Technology Inc.
ECF440AACCN-Y3
Micron Technology Inc.
ECF620AAACN-C1-Y3
Micron Technology Inc.
ECF620AAACN-C1-Y3-ES
Micron Technology Inc.
ECF620AAACN-C2-Y3
Micron Technology Inc.
ECF620AAACN-C2-Y3-ES
Micron Technology Inc.
ECF840AAACN-C1-Y3
Micron Technology Inc.
ECF840AAACN-C2-Y3
Micron Technology Inc.
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1AGL1000V5-FGG484
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA4H3F35C4N
Intel
XC6VHX250T-1FF1154I
Xilinx Inc.
XC6SLX16-L1CSG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3CSG324C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I3
Intel