casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / ECF840AAACN-C2-Y3
Número de pieza del fabricante | ECF840AAACN-C2-Y3 |
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Número de parte futuro | FT-ECF840AAACN-C2-Y3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ECF840AAACN-C2-Y3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR3 |
Tamaño de la memoria | 8Gb (512M x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.14V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | - |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ECF840AAACN-C2-Y3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | ECF840AAACN-C2-Y3-FT |
CY7C245A-18WMB
Cypress Semiconductor Corp
CYD02S36VA-167BBXC
Cypress Semiconductor Corp
CYD09S36V18-WW14
Cypress Semiconductor Corp
DC0232A-D
Micron Technology Inc.
DS1200
Maxim Integrated
DS1201
Maxim Integrated
DS1201+C02
Maxim Integrated
DS1201N
Maxim Integrated
DS1220Y-120+
Maxim Integrated
DS1245BL-100
Maxim Integrated
LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE115F23I8L
Intel
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
LFXP3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP20K100BC356-2N
Intel
EP4SGX360FF35C4
Intel