casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solos, Pre-polariza / DTB743EMT2L
Número de pieza del fabricante | DTB743EMT2L |
---|---|
Número de parte futuro | FT-DTB743EMT2L |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DTB743EMT2L Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo de transistor | PNP - Pre-Biased |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 200mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 30V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Base del emisor (R2) | 4.7 kOhms |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 115 @ 100mA, 2V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 500nA |
Frecuencia - Transición | 260MHz |
Potencia - max | 150mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOT-723 |
Paquete del dispositivo del proveedor | VMT3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTB743EMT2L Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DTB743EMT2L-FT |
RN2107ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2107CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2108ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2108CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2109ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2109CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2110CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2111CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2112CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2113CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
EP1C3T144C7N
Intel
XC2VP70-5FF1517C
Xilinx Inc.
EP3SE50F484C3N
Intel
EP3CLS70F484I7N
Intel
5SGXEA5N2F45C2N
Intel
XC6VLX75T-L1FFG784C
Xilinx Inc.
A42MX24-TQG176M
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG184I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB5D4F35I5N
Intel
EP20K300EBC652-2X
Intel