casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solos, Pre-polariza / DTB723YMT2L
Número de pieza del fabricante | DTB723YMT2L |
---|---|
Número de parte futuro | FT-DTB723YMT2L |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DTB723YMT2L Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo de transistor | PNP - Pre-Biased |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 200mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 30V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Base del emisor (R2) | 10 kOhms |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 140 @ 100mA, 2V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 500nA |
Frecuencia - Transición | 260MHz |
Potencia - max | 150mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOT-723 |
Paquete del dispositivo del proveedor | VMT3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTB723YMT2L Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DTB723YMT2L-FT |
RN2106CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2107ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2107CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2108ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2108CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2109ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2109CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2110CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2111CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2112CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
AGL400V5-FG256I
Microsemi Corporation
M2GL005-1VFG256I
Microsemi Corporation
ICE40LM1K-SWG25TR
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CGX150DF27C7N
Intel
5SGXEA4K1F40C1N
Intel
LFE2-12E-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R3F40E2LG
Intel
EP2AGX45DF29I3N
Intel