casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / DS28E10P-W22+2TW
Número de pieza del fabricante | DS28E10P-W22+2TW |
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Número de parte futuro | FT-DS28E10P-W22+2TW |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DS28E10P-W22+2TW Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EPROM |
Tecnología | EPROM - OTP |
Tamaño de la memoria | 224b (28 x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | 1-Wire® |
Suministro de voltaje | 2.8V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 6-LSOJ (0.148", 3.76mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 6-TSOC |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS28E10P-W22+2TW Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DS28E10P-W22+2TW-FT |
MT45W4MW16PCGA-70 WT TR
Micron Technology Inc.
MT45W4MW16PFA-70 IT
Micron Technology Inc.
MT45W4MW16PFA-70 IT TR
Micron Technology Inc.
MT45W4MW16PFA-70 WT
Micron Technology Inc.
MT45W4MW16PFA-70 WT TR
Micron Technology Inc.
MT45W4MW16PFA-85 WT
Micron Technology Inc.
MT45W4MW16PFA-85 WT TR
Micron Technology Inc.
MT45W512KW16PEGA-70 IT TR
Micron Technology Inc.
MT45W512KW16PEGA-70 WT TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAGAWP-IT:G
Micron Technology Inc.
XC3S1400A-4FG676I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-6BG381I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7F27I7N
Intel
EP3C80U484C7N
Intel
5SGXMA4K2F35I2N
Intel
XCV100-5BG256I
Xilinx Inc.
XC2VP40-6FFG1148C
Xilinx Inc.
XC4VFX20-10FF672C
Xilinx Inc.
XC7K355T-1FF901I
Xilinx Inc.