casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / DS2030Y-70#
Número de pieza del fabricante | DS2030Y-70# |
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Número de parte futuro | FT-DS2030Y-70# |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DS2030Y-70# Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | NVSRAM |
Tecnología | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Tamaño de la memoria | 256Kb (32K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 70ns |
Tiempo de acceso | 70ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 256-BGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 256-BGA (27x27) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS2030Y-70# Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DS2030Y-70#-FT |
DS2505+
Maxim Integrated
DS2502+
Maxim Integrated
DS28E07+
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DS2430A-002-E1
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DS28E05P+
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DS2505P+
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DS28E15P+
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DS28E25P+
Maxim Integrated
LCMXO2-2000ZE-1TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN125V5-CSG81
Microsemi Corporation
A54SX16A-1FGG256M
Microsemi Corporation
A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
10M04DAF256C7G
Intel
EP4CE6F17C8
Intel
XC5VLX50-1FFG676CES
Xilinx Inc.
LFXP6C-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE230F29C3N
Intel