casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / DS28E07+
Número de pieza del fabricante | DS28E07+ |
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Número de parte futuro | FT-DS28E07+ |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DS28E07+ Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EEPROM |
Tecnología | EEPROM |
Tamaño de la memoria | 1Kb (256 x 4) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 2µs |
interfaz de memoria | 1-Wire® |
Suministro de voltaje | 3V ~ 5.25V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-92-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS28E07+ Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DS28E07+-FT |
MT48H16M16LFBF-75:G TR
Micron Technology Inc.
MT48H32M16LFBF-75 IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT48H32M16LFBF-75:B TR
Micron Technology Inc.
MT48H32M16LFCJ-75 L IT:A TR
Micron Technology Inc.
MT48H32M16LFCJ-75:A TR
Micron Technology Inc.
MT48LC16M16A2BG-75 IT:D
Micron Technology Inc.
MT48LC16M16A2BG-75:D
Micron Technology Inc.
MT48LC16M16A2BG-7E:D
Micron Technology Inc.
MT48LC16M16A2FG-75:D TR
Micron Technology Inc.
MT48LC16M16A2FG-7E:D
Micron Technology Inc.
A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
XC3SD1800A-4CS484LI
Xilinx Inc.
XC2V500-5FG256I
Xilinx Inc.
A14V40A-VQG100C
Microsemi Corporation
5SGXMABN3F45C2LN
Intel
A3PE1500-FGG676I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F35I3SG
Intel
EP20K200EQC240-1X
Intel