casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / DS2030Y-100#
Número de pieza del fabricante | DS2030Y-100# |
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Número de parte futuro | FT-DS2030Y-100# |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DS2030Y-100# Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | NVSRAM |
Tecnología | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Tamaño de la memoria | 256Kb (32K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 100ns |
Tiempo de acceso | 100ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 256-BGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 256-BGA (27x27) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS2030Y-100# Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DS2030Y-100#-FT |
DS2430A+
Maxim Integrated
DS2505+
Maxim Integrated
DS2502+
Maxim Integrated
DS28E07+
Maxim Integrated
DS2430A-002-E1
Maxim Integrated
DS28E05P+
Maxim Integrated
DS2431P-A1+
Maxim Integrated
DS2505P+
Maxim Integrated
DS2502P+
Maxim Integrated
DS28E15P+
Maxim Integrated
A54SX08A-PQG208A
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C8N
Intel
5AGXMA5D4F27I5N
Intel
XC7V585T-2FF1761I
Xilinx Inc.
LFE5U-12F-8BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA2F23I7N
Intel
10AX090R2F40E2SG
Intel
EP4CGX110DF31C8
Intel
EP2S180F1508C5
Intel