casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / DS2016-150
Número de pieza del fabricante | DS2016-150 |
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Número de parte futuro | FT-DS2016-150 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DS2016-150 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM |
Tamaño de la memoria | 16Kb (2K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 150ns |
Tiempo de acceso | 150ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 24-DIP (0.600", 15.24mm) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 24-PDIP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS2016-150 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DS2016-150-FT |
DS28EL15Q+T
Maxim Integrated
DS24B33Q+T&R
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DS28E07Q+T
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Maxim Integrated
XC3S1400A-4FG676I
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M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-6BG381I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7F27I7N
Intel
EP3C80U484C7N
Intel
5SGXMA4K2F35I2N
Intel
XCV100-5BG256I
Xilinx Inc.
XC2VP40-6FFG1148C
Xilinx Inc.
XC4VFX20-10FF672C
Xilinx Inc.
XC7K355T-1FF901I
Xilinx Inc.