casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / DS2016-150
Número de pieza del fabricante | DS2016-150 |
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Número de parte futuro | FT-DS2016-150 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DS2016-150 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM |
Tamaño de la memoria | 16Kb (2K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 150ns |
Tiempo de acceso | 150ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 24-DIP (0.600", 15.24mm) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 24-PDIP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS2016-150 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DS2016-150-FT |
DS28EL15Q+T
Maxim Integrated
DS24B33Q+T&R
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DS28E07Q+T
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Maxim Integrated
XC2V3000-5FGG676I
Xilinx Inc.
M2GL025TS-1FCSG325I
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AX125-1FG256I
Microsemi Corporation
EP4CGX50DF27C7
Intel
EP3SL70F484I3N
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EP2AGX45DF25C6
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5SGXMB9R3H43C3N
Intel
XC5VSX240T-2FF1738CES
Xilinx Inc.
XC2VP4-5FF672C
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation