casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / DS2016-150
Número de pieza del fabricante | DS2016-150 |
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Número de parte futuro | FT-DS2016-150 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DS2016-150 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM |
Tamaño de la memoria | 16Kb (2K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 150ns |
Tiempo de acceso | 150ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 24-DIP (0.600", 15.24mm) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 24-PDIP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS2016-150 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DS2016-150-FT |
DS28EL15Q+T
Maxim Integrated
DS24B33Q+T&R
Maxim Integrated
DS2704G+T&R
Maxim Integrated
DS28E25Q+T
Maxim Integrated
DS28E80Q+T
Maxim Integrated
DS28E07Q+U
Maxim Integrated
DS28E07Q+T
Maxim Integrated
DS28E38Q+U
Maxim Integrated
DS28E36Q+T
Maxim Integrated
DS2431Q+T&R
Maxim Integrated
EP1K30TC144-1N
Intel
LFEC3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
APA300-PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C35U484C8N
Intel
A42MX24-2PL84I
Microsemi Corporation
M1AGL1000V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35I4N
Intel