casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / DS28E25Q+T
Número de pieza del fabricante | DS28E25Q+T |
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Número de parte futuro | FT-DS28E25Q+T |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DeepCover® |
DS28E25Q+T Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EEPROM |
Tecnología | EEPROM |
Tamaño de la memoria | 4Kb (4K x 1) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 2µs |
interfaz de memoria | 1-Wire® |
Suministro de voltaje | 2.97V ~ 3.63V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 6-WDFN Exposed Pad |
Paquete del dispositivo del proveedor | 6-TDFN-EP (3x3) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS28E25Q+T Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DS28E25Q+T-FT |
AT93C57W-10SC-2.7
Microchip Technology
AT93C57W-10SI
Microchip Technology
AT93C57W-10SI-1.8
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AT93C57W-10SI-2.5
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AT93C57W-10SI-2.7
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AT93C66-10SC
Microchip Technology
AT93C66-10SC-2.5
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AT93C66-10SC-2.7
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AT93C66-10SI
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XC3S50A-5FTG256C
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EP2SGX130GF40C5NES
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10AX016E3F27E1HG
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