casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / DS17-12A
Número de pieza del fabricante | DS17-12A |
---|---|
Número de parte futuro | FT-DS17-12A |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DS17-12A Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Avalanche |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 1200V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 25A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.36V @ 55A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 4mA @ 1200V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Chassis, Stud Mount |
Paquete / Caja | DO-203AA, DO-4, Stud |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-203AA |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -40°C ~ 180°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS17-12A Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DS17-12A-FT |
BYG21MHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG21MHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG21MHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG21MHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG22AHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG22AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG22AHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG22AHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG22BHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG22BHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4005E-2TQ144I
Xilinx Inc.
LFE2-6E-6TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-2FGG256
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG208I
Microsemi Corporation
10M40DCF484C8G
Intel
EP4CGX110CF23I7
Intel
10M40DAF256C7G
Intel
10AX022E4F27E3LG
Intel
XC5VLX85-2FFG676I
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-7FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation