casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / BYG21MHE3_A/H
Número de pieza del fabricante | BYG21MHE3_A/H |
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Número de parte futuro | FT-BYG21MHE3_A/H |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BYG21MHE3_A/H Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Avalanche |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 1000V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1.5A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.6V @ 1.5A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 120ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 1µA @ 1000V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-214AC, SMA |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-214AC (SMA) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYG21MHE3_A/H Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BYG21MHE3_A/H-FT |
FR6A02
GeneSiC Semiconductor
JANTX1N5551
Microsemi Corporation
STBR3012G2Y-TR
STMicroelectronics
RHRP15120-F102
ON Semiconductor
RHRP30120-F102
ON Semiconductor
1N5550C.TR
Semtech Corporation
1N5616C.TR
Semtech Corporation
1N5620C.TR
Semtech Corporation
VS-APH3006L-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N5618US
Microsemi Corporation
XC3S400-5FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P600-FGG256I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C7
Intel
5SGXMB6R1F40C2LN
Intel
XC5VLX110-1FFG1760C
Xilinx Inc.
XC5VLX155T-3FFG1136C
Xilinx Inc.
XC5VLX30-1FFG324I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FGG144M
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000ZE-1BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7U19C8N
Intel