casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / 1N5616C.TR
Número de pieza del fabricante | 1N5616C.TR |
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Número de parte futuro | FT-1N5616C.TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N5616C.TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Avalanche |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 400V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 2A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 1A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 2µs |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 500nA @ 400V |
Capacitancia a Vr, F | 23pF @ 5V, 1MHz |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Axial |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5616C.TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1N5616C.TR-FT |
CD214A-B260R
Bourns Inc.
CD214A-B320LR
Bourns Inc.
CD214A-B320R
Bourns Inc.
CD214A-B340LR
Bourns Inc.
CD214A-B360R
Bourns Inc.
CD2010-B160
Bourns Inc.
CD2010-B140
Bourns Inc.
CD1607-B120LLF
Bourns Inc.
CD1607-B140LF
Bourns Inc.
CD1408-FU1400
Bourns Inc.
XC2V1500-5FGG676I
Xilinx Inc.
XC2V500-4FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P250-2VQ100I
Microsemi Corporation
EP3SE260H780I4LN
Intel
XC4VSX55-11FF1148I
Xilinx Inc.
LFE2M35SE-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-4MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31C5N
Intel
EP2AGX95EF29I3
Intel
EP20K400BC652-2X
Intel