casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / DS1258Y-100
Número de pieza del fabricante | DS1258Y-100 |
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Número de parte futuro | FT-DS1258Y-100 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DS1258Y-100 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | NVSRAM |
Tecnología | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Tamaño de la memoria | 2Mb (128K x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 100ns |
Tiempo de acceso | 100ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 40-DIP Module (0.610", 15.495mm) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 40-EDIP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1258Y-100 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DS1258Y-100-FT |
DS28E07P+
Maxim Integrated
DS24L65P+
Maxim Integrated
DS28E07P+T
Maxim Integrated
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Maxim Integrated
DS2431P-A1+T
Maxim Integrated
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DS2505P+T&R
Maxim Integrated
DS28E15P+T
Maxim Integrated
DS28E22P+T
Maxim Integrated
DS28E25P+T
Maxim Integrated
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LAXP2-5E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V40-5FG256I
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XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CSG325C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG256
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE15U14A7N
Intel
EPF10K30EFC256-2N
Intel
EPF8636AQC208-3
Intel