casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / DS1258Y-100
Número de pieza del fabricante | DS1258Y-100 |
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Número de parte futuro | FT-DS1258Y-100 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DS1258Y-100 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | NVSRAM |
Tecnología | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Tamaño de la memoria | 2Mb (128K x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 100ns |
Tiempo de acceso | 100ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 40-DIP Module (0.610", 15.495mm) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 40-EDIP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1258Y-100 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DS1258Y-100-FT |
DS28E07P+
Maxim Integrated
DS24L65P+
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DS28E15P+T
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Maxim Integrated
DS28E25P+T
Maxim Integrated
A54SX32A-1TQG144I
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XC6SLX100T-2FG484I
Xilinx Inc.
A3P400-FG256
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A42MX16-1VQ100I
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EP3C80F484I7N
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10CL120YF484C8G
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A42MX16-TQ176A
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5AGTFD7H3F35I5N
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EP1K100QC208-2N
Intel