casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / DS28E25P+T
Número de pieza del fabricante | DS28E25P+T |
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Número de parte futuro | FT-DS28E25P+T |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DeepCover® |
DS28E25P+T Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EEPROM |
Tecnología | EEPROM |
Tamaño de la memoria | 4Kb (4K x 1) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 2µs |
interfaz de memoria | 1-Wire® |
Suministro de voltaje | 2.97V ~ 3.63V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 6-LSOJ (0.148", 3.76mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 6-TSOC |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS28E25P+T Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DS28E25P+T-FT |
MT45W4MW16PBA-70 IT
Micron Technology Inc.
MT45W4MW16PBA-70 IT TR
Micron Technology Inc.
MT45W4MW16PBA-70 WT
Micron Technology Inc.
MT45W4MW16PBA-70 WT TR
Micron Technology Inc.
MT45W4MW16PCGA-70 IT TR
Micron Technology Inc.
MT45W4MW16PCGA-70 WT TR
Micron Technology Inc.
MT45W4MW16PFA-70 IT
Micron Technology Inc.
MT45W4MW16PFA-70 IT TR
Micron Technology Inc.
MT45W4MW16PFA-70 WT
Micron Technology Inc.
MT45W4MW16PFA-70 WT TR
Micron Technology Inc.
M1AFS600-2FG484
Microsemi Corporation
AGL060V5-VQG100I
Microsemi Corporation
AGLN060V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N2F40C3N
Intel
5CGXFC4F6M11C7N
Intel
5SGXEB6R3F43C3
Intel
EP4SGX360KF43I4
Intel
XC4VFX60-10FF672C
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K400EBC652-2X
Intel