casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / DS1230YP-100+
Número de pieza del fabricante | DS1230YP-100+ |
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Número de parte futuro | FT-DS1230YP-100+ |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DS1230YP-100+ Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | NVSRAM |
Tecnología | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Tamaño de la memoria | 256Kb (32K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 100ns |
Tiempo de acceso | 100ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 34-PowerCap™ Module |
Paquete del dispositivo del proveedor | 34-PowerCap Module |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1230YP-100+ Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DS1230YP-100+-FT |
LH28F016SCT-L95
Sharp Microelectronics
M29F080D70N1
STMicroelectronics
M29F080D90N1
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M50FW016N5TG TR
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SST49LF016C-33-4C-EIE
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SST49LF016C-33-4C-EIE-T
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AT21CS01-MSHMHU-T
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AT21CS01-MSHM10-T
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AT21CS11-MSH10-T
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SST26VF032B-104I/TD
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XC2S100-5TQ144C
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XC5202-5PQ100C
Xilinx Inc.
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A3P250-PQG208
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EP20K600CF672C8
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10CL010YU256C8G
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XC7K355T-2FF901I
Xilinx Inc.