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DMT6016LFDF-7 Image

Diodes Incorporated DMT6016LFDF-7

Número de pieza de MFG
DMT6016LFDF-7
Cantidad disponible
11310 Piezas
Precio de referencia
USD 0.19812
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Fecha de envío
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fabricante
Diodes Incorporated
Breve descripción
- MOSFET N-CH 60V 8.9A 6UDFN
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
DMT6016LFDF-7 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 8.9A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 864pF @ 30V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 820mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor 6-UDFN (2x2)
Paquete / Caja 6-UDFN Exposed Pad
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMT6016LFDF-7 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto DMT6016LFDF-7-FT

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