casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / DMT6016LFDF-7
Número de pieza del fabricante | DMT6016LFDF-7 |
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Número de parte futuro | FT-DMT6016LFDF-7 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMT6016LFDF-7 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 8.9A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 864pF @ 30V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 820mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 6-UDFN (2x2) |
Paquete / Caja | 6-UDFN Exposed Pad |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMT6016LFDF-7 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DMT6016LFDF-7-FT |
DMG1013UWQ-13
Diodes Incorporated
DMN67D8LW-7
Diodes Incorporated
DMN2065UW-7
Diodes Incorporated
BSS123WQ-7-F
Diodes Incorporated
DMN601WKQ-13
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DMN66D0LW-7
Diodes Incorporated
DMN67D8LW-13
Diodes Incorporated
BSS123W-7-F
Diodes Incorporated
DMN62D0UW-13
Diodes Incorporated
DMN3150LW-7
Diodes Incorporated
XC6SLX100T-N3FG900C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
EP2A40F672C7
Intel
EP3SL200F1517C4
Intel
XC7A200T-2FB484I
Xilinx Inc.
XC6VCX195T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10LC84-4
Intel
EPF81188ARC240-2
Intel
EP1C12Q240C7
Intel