casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / DMP58D0LFB-7
Número de pieza del fabricante | DMP58D0LFB-7 |
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Número de parte futuro | FT-DMP58D0LFB-7 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMP58D0LFB-7 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 50V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 180mA (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 2.5V, 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 Ohm @ 100mA, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 27pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 470mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 3-DFN1006 (1.0x0.6) |
Paquete / Caja | 3-UFDFN |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMP58D0LFB-7 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DMP58D0LFB-7-FT |
DMP1200UFR4-7
Diodes Incorporated
DMT3006LDK-7
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Diodes Incorporated
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Diodes Incorporated
A1010B-2VQ80I
Microsemi Corporation
EPF10K30ATC144-1
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XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
AFS090-2FG256I
Microsemi Corporation
AGL1000V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6
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10AX022E3F29I2LG
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5CGXBC9A7U19C8N
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