casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / DMJ70H1D3SJ3
Número de pieza del fabricante | DMJ70H1D3SJ3 |
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Número de parte futuro | FT-DMJ70H1D3SJ3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMJ70H1D3SJ3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 700V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 4.6A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.3 Ohm @ 2.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 13.9nC @ 10V |
Vgs (Max) | - |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 351pF @ 50V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 41W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 155°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-251 |
Paquete / Caja | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMJ70H1D3SJ3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DMJ70H1D3SJ3-FT |
DMTH4004LK3-13
Diodes Incorporated
DMNH6012LK3Q-13
Diodes Incorporated
DMNH6042SK3Q-13
Diodes Incorporated
DMTH3004LK3Q-13
Diodes Incorporated
DMTH4005SK3Q-13
Diodes Incorporated
DMTH6004SK3Q-13
Diodes Incorporated
DMTH6005LK3Q-13
Diodes Incorporated
DMTH10H030LK3-13
Diodes Incorporated
DMJ70H1D3SI3
Diodes Incorporated
DMJ70H1D3SH3
Diodes Incorporated
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
5SGSMD5K2F40C2L
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-4BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4U19A7N
Intel
EPF10K20RC240-3N
Intel
EP20K1000EFC33-3
Intel