casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / DMJ70H1D3SI3
Número de pieza del fabricante | DMJ70H1D3SI3 |
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Número de parte futuro | FT-DMJ70H1D3SI3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMJ70H1D3SI3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 700V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 4.6A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.3 Ohm @ 2.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 13.9nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 351pF @ 50V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 41W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-251 |
Paquete / Caja | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMJ70H1D3SI3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DMJ70H1D3SI3-FT |
DMP6110SSDQ-13
Diodes Incorporated
DMP6110SSS-13
Diodes Incorporated
DMP6110SSSQ-13
Diodes Incorporated
DMPH4015SSS-13
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DMS3015SSS-13
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DMT10H010LSS-13
Diodes Incorporated
DMT10H015LSS-13
Diodes Incorporated
DMT6009LSS-13
Diodes Incorporated
EX128-TQ100
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XC3S50A-4VQG100I
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A54SX32A-1CQ256
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-VQG100M
Microsemi Corporation
EP1SGX10CF672C7N
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10AX016C3U19I2LG
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