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Diodes Incorporated DMP2006UFGQ-7

Name: DMP2006UFGQ-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMP2006UFGQ-7
Price: 0.36164 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (646 reviews)

Número de pieza de MFG: DMP2006UFGQ-7

Cantidad disponible: 59370 Piezas

Precio de referencia: USD 0.36164

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fabricante: Diodes Incorporated

Breve descripción: Automotive, AEC-Q101 MOSFET BVDSS 8V-24V POWERDI3333

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: DMP2006UFGQ-7.pdf

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DMP2006UFGQ-7 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	DMP2006UFGQ-7
Número de parte futuro	FT-DMP2006UFGQ-7
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	Automotive, AEC-Q101
DMP2006UFGQ-7 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	17.5A (Ta), 40A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.5 mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	200nC @ 10V
Vgs (Max)	±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	7500pF @ 10V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	2.3W (Ta), 41W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	PowerDI3333-8
Paquete / Caja	8-PowerVDFN
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMP2006UFGQ-7 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	DMP2006UFGQ-7-FT

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