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Diodes Incorporated DMT10H015LCG-13

Name: DMT10H015LCG-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMT10H015LCG-13
Price: 0.37584 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (85 reviews)

Número de pieza de MFG: DMT10H015LCG-13

Cantidad disponible: 43520 Piezas

Precio de referencia: USD 0.37584

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fabricante: Diodes Incorporated

Breve descripción: - MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: DMT10H015LCG-13.pdf

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DMT10H015LCG-13 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	DMT10H015LCG-13
Número de parte futuro	FT-DMT10H015LCG-13
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
DMT10H015LCG-13 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	9.4A (Ta), 34A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	15 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	33.3nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	1871pF @ 50V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 155°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	V-DFN3333-8
Paquete / Caja	8-VDFN Exposed Pad
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMT10H015LCG-13 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	DMT10H015LCG-13-FT

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