casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / DMP1100UCB4-7
Número de pieza del fabricante | DMP1100UCB4-7 |
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Número de parte futuro | FT-DMP1100UCB4-7 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
DMP1100UCB4-7 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 12V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 2.5A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 1.3V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 83 mOhm @ 3A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 820pF @ 6V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 670mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | X2-WLB0808-4 |
Paquete / Caja | 4-UFBGA, WLBGA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMP1100UCB4-7 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DMP1100UCB4-7-FT |
IPB60R180C7ATMA1
Infineon Technologies
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