casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / DMP1022UFDEQ-7
Número de pieza del fabricante | DMP1022UFDEQ-7 |
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Número de parte futuro | FT-DMP1022UFDEQ-7 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
DMP1022UFDEQ-7 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 12V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 9.1A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 1.2V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16 mOhm @ 8.2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 42.6nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2953pF @ 4V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 660mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | U-DFN2020-6 (Type E) |
Paquete / Caja | 6-PowerUDFN |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMP1022UFDEQ-7 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DMP1022UFDEQ-7-FT |
DMN1014UFDF-13
Diodes Incorporated
DMN1014UFDF-7
Diodes Incorporated
DMN2015UFDF-13
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DMN2015UFDF-7
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DMP1022UWS-13
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DMP1022UWS-7
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DMT10H015LCG-13
Diodes Incorporated
DMT10H015LCG-7
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DMT10H072LFDF-13
Diodes Incorporated
XCS20XL-4VQ100C
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XC6SLX150-3FG484I
Xilinx Inc.
A42MX36-1PQG240
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A3P1000-2FGG484I
Microsemi Corporation
XC4020E-4HQ208I
Xilinx Inc.
XC7VX690T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX09-TQ176
Microsemi Corporation
M1A3P1000L-FGG144
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-CM36AITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230HF35C2
Intel