casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / DMNH6011LK3Q-13
Número de pieza del fabricante | DMNH6011LK3Q-13 |
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Número de parte futuro | FT-DMNH6011LK3Q-13 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
DMNH6011LK3Q-13 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 55V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 80A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 49.1nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 3077pF @ 30V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1.6W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-252, (D-Pak) |
Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMNH6011LK3Q-13 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DMNH6011LK3Q-13-FT |
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EP4SE530H35C4N
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XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C7
Intel