casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / DMN7022LFGQ-7
Número de pieza del fabricante | DMN7022LFGQ-7 |
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Número de parte futuro | FT-DMN7022LFGQ-7 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMN7022LFGQ-7 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 75V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 23A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22 mOhm @ 7.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 56.5nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2737pF @ 35V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 2W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PowerDI3333-8 |
Paquete / Caja | 8-PowerVDFN |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN7022LFGQ-7 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DMN7022LFGQ-7-FT |
DMN1004UFDF-13
Diodes Incorporated
DMN1014UFDF-13
Diodes Incorporated
DMN1014UFDF-7
Diodes Incorporated
DMN2015UFDF-13
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DMN2015UFDF-7
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DMT10H015LCG-13
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DMT10H015LCG-7
Diodes Incorporated
XC3164A-3TQ144C
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XC7S100-2FGGA484I
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FGG484
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A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
5SGXMB6R2F40I2LN
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EP4SGX360NF45C3N
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XC7S50-2CSGA324C
Xilinx Inc.
5CGXFC9A6U19A7N
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EP2AGX65CU17C4G
Intel
5AGXFB1H4F35C4N
Intel