casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / DMN66D0LDW-7
Número de pieza del fabricante | DMN66D0LDW-7 |
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Número de parte futuro | FT-DMN66D0LDW-7 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
DMN66D0LDW-7 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Característica FET | Standard |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 115mA (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 Ohm @ 115mA, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 23pF @ 25V |
Potencia - max | 250mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-363 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN66D0LDW-7 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DMN66D0LDW-7-FT |
ZXMD65P03N8TA
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XC6SLX25-3FT256I
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XC6SLX100T-N3FG676I
Xilinx Inc.
XC6SLX150-2FGG676I
Xilinx Inc.
A42MX36-3BGG272I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N1F40C2N
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EP4CE10E22C7N
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5SGXMA5K1F35C1N
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