casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / DMN61D9UDW-7
Número de pieza del fabricante | DMN61D9UDW-7 |
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Número de parte futuro | FT-DMN61D9UDW-7 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMN61D9UDW-7 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Característica FET | Standard |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 350mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 Ohm @ 50mA, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 0.4nC @ 4.5V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 28.5pF @ 30V |
Potencia - max | 320mW |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-363 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN61D9UDW-7 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DMN61D9UDW-7-FT |
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XC2S300E-6PQG208C
Xilinx Inc.
A3P250-VQ100I
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5AGXMA1D6F27C6N
Intel
XC2VP50-6FF1148I
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-3BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE30F29C6N
Intel
EPF8636AQC160-4N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel