casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / DMG8601UFG-7
Número de pieza del fabricante | DMG8601UFG-7 |
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Número de parte futuro | FT-DMG8601UFG-7 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMG8601UFG-7 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
Característica FET | Logic Level Gate |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 6.1A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 6.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.05V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 8.8nC @ 4.5V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 143pF @ 10V |
Potencia - max | 920mW |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-PowerUDFN |
Paquete del dispositivo del proveedor | U-DFN3030-8 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMG8601UFG-7 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DMG8601UFG-7-FT |
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Microsemi Corporation
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Intel
5SGXEA9N1F45I2N
Intel
XC7S50-2CSGA324I
Xilinx Inc.
A42MX16-FPQ100
Microsemi Corporation
LFEC6E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-5B256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE75F29I8LN
Intel
EP1K30QC208-3
Intel
EP4SGX290FF35C3N
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