casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / DMN55D0UTQ-7
Número de pieza del fabricante | DMN55D0UTQ-7 |
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Número de parte futuro | FT-DMN55D0UTQ-7 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMN55D0UTQ-7 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 50V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 160mA (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 2.5V, 4V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 Ohm @ 100mA, 4V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 25pF @ 10V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 200mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-523 |
Paquete / Caja | SOT-523 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN55D0UTQ-7 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DMN55D0UTQ-7-FT |
FQT4N20TF
ON Semiconductor
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