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ON Semiconductor HUF75307T3ST

Número de pieza de MFG
HUF75307T3ST
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97680 Piezas
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fabricante
ON Semiconductor
Breve descripción
- MOSFET N-CH 55V 2.6A SOT-223
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Número de parte futuro FT-HUF75307T3ST
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
HUF75307T3ST Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 55V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 2.6A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90 mOhm @ 2.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 20V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 250pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 1.1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-223-4
Paquete / Caja TO-261-4, TO-261AA
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
HUF75307T3ST Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto HUF75307T3ST-FT

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