casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / DMN3065LW-13
Número de pieza del fabricante | DMN3065LW-13 |
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Número de parte futuro | FT-DMN3065LW-13 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMN3065LW-13 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 4A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 2.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52 mOhm @ 4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 11.7nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 465pF @ 15V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 770mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-323 |
Paquete / Caja | SC-70, SOT-323 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN3065LW-13 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DMN3065LW-13-FT |
DMS3014SSS-13
Diodes Incorporated
DMS3015SSS-13
Diodes Incorporated
DMT10H010LSS-13
Diodes Incorporated
DMT10H015LSS-13
Diodes Incorporated
DMT6009LSS-13
Diodes Incorporated
DMT68M8LSS-13
Diodes Incorporated
DMT8012LSS-13
Diodes Incorporated
DI9405T
Diodes Incorporated
DI9435T
Diodes Incorporated
DMG4406LSS-13
Diodes Incorporated
XC4005E-1PQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-L1CSG484I
Xilinx Inc.
A3PN060-1VQ100I
Microsemi Corporation
10AX048K2F35E2LG
Intel
EP4S100G5F45I3
Intel
A40MX02-PLG44
Microsemi Corporation
XC7A25T-2CPG238C
Xilinx Inc.
LFEC15E-4F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA3D6F31C6N
Intel
EP1S40F1508C6N
Intel