casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / DMN2011UTS-13
Número de pieza del fabricante | DMN2011UTS-13 |
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Número de parte futuro | FT-DMN2011UTS-13 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMN2011UTS-13 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 21A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11 mOhm @ 7A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 56nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2248pF @ 10V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1.3W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-TSSOP |
Paquete / Caja | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN2011UTS-13 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DMN2011UTS-13-FT |
SPB80N06S2L-09
Infineon Technologies
SPB80N06S2L-11
Infineon Technologies
SPB80N06S2L-H5
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SPB80N08S2-07
Infineon Technologies
SPB80N08S2L-07
Infineon Technologies
SPB80N10L
Infineon Technologies
SPB80N10L G
Infineon Technologies
SPB80P06P
Infineon Technologies
SQM100N04-2M7_GE3
Vishay Siliconix
SQM120N03-1M5L_GE3
Vishay Siliconix
XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
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M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
Microsemi Corporation
EP1M350F780C6
Intel
LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34I1SG
Intel
EP1C6Q240C7N
Intel
EP1K100QC208-1GZ
Intel