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Diodes Incorporated DMN1150UFB-7B

Name: DMN1150UFB-7B
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN1150UFB-7B
Price: 0.0588 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (369 reviews)

Número de pieza de MFG: DMN1150UFB-7B

Cantidad disponible: 36830 Piezas

Precio de referencia: USD 0.0588

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fabricante: Diodes Incorporated

Breve descripción: - MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: DMN1150UFB-7B.pdf

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Número de pieza del fabricante	DMN1150UFB-7B
Número de parte futuro	FT-DMN1150UFB-7B
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
DMN1150UFB-7B Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	12V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	1.41A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	150 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	1.5nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±6V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	106pF @ 10V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	500mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	3-DFN1006 (1.0x0.6)
Paquete / Caja	3-UFDFN
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN1150UFB-7B Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	DMN1150UFB-7B-FT

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