casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / DMN10H220LVT-13
Número de pieza del fabricante | DMN10H220LVT-13 |
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Número de parte futuro | FT-DMN10H220LVT-13 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMN10H220LVT-13 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 1.87A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 220 mOhm @ 1.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 8.3nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±16V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 401pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1.67W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | TSOT-26 |
Paquete / Caja | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN10H220LVT-13 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DMN10H220LVT-13-FT |
DMP3017SFG-7
Diodes Incorporated
DMN15H310SE-13
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Diodes Incorporated
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XC3S2000-4FG456C
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XC6SLX4-2CSG225I
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AGL600V2-CSG281
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LFXP6C-3Q208C
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LFXP2-40E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4
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