casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / DMP10H400SE-13
Número de pieza del fabricante | DMP10H400SE-13 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-DMP10H400SE-13 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMP10H400SE-13 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 2.3A (Ta), 6A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 17.5nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1239pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 2W (Ta), 13.7W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-223 |
Paquete / Caja | TO-261-4, TO-261AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMP10H400SE-13 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DMP10H400SE-13-FT |
DMN3018SFG-13
Diodes Incorporated
DMN10H170SFG-13
Diodes Incorporated
DMP26M7UFG-7
Diodes Incorporated
DMT6009LFG-7
Diodes Incorporated
DMP2007UFG-7
Diodes Incorporated
DMT3006LFG-7
Diodes Incorporated
DMP2008UFG-7
Diodes Incorporated
DMT10H015LFG-7
Diodes Incorporated
DMG7430LFG-7
Diodes Incorporated
DMP4025SFG-13
Diodes Incorporated
A54SX16A-2TQ144I
Microsemi Corporation
XC3S400-4FG320I
Xilinx Inc.
XC3S700AN-4FGG484I
Xilinx Inc.
5SGXMA3E1H29I2N
Intel
5SGSMD8N3F45I3N
Intel
5SGXMA4H3F35I4N
Intel
XC5VLX155-2FFG1760C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-2FFG784C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-2FFG784I
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation