casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / DMN10H170SK3-13
Número de pieza del fabricante | DMN10H170SK3-13 |
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Número de parte futuro | FT-DMN10H170SK3-13 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMN10H170SK3-13 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 12A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 9.7nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1167pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 42W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-252-3 |
Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN10H170SK3-13 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DMN10H170SK3-13-FT |
2N7002TA
Diodes Incorporated
2N7002TC
Diodes Incorporated
BS170FTC
Diodes Incorporated
BS250FTC
Diodes Incorporated
BS870-7
Diodes Incorporated
BSS123-7
Diodes Incorporated
BSS123ATA
Diodes Incorporated
BSS123ATC
Diodes Incorporated
BSS123TC
Diodes Incorporated
BSS138-7
Diodes Incorporated
XCV50-6TQ144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-256HC-4SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-45F-8BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V5-VQ100
Microsemi Corporation
EPF10K100ABC600-1
Intel
5SGXMA5K1F40C2LN
Intel
XC4013E-2HQ208I
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FF672I
Xilinx Inc.
XC6SLX9-L1CPG196C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FGG144I
Microsemi Corporation